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拋光后CMP清洗臺(tái)
1、制程應(yīng)用：拋光后制程（單面、雙面）；
2、清洗制程；
3、控制模式：手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式；
4、適用對(duì)象：藍(lán)寶石襯底晶片
4.1襯底晶片規(guī)格：2 inch，25 Pcs/cassette；
8cassette/ Batch Or 4 inch，25Pcs/cassette；
4 cassette/ Batch or 6 inch，25 Pcs/cassette；
2cassette/ Batch ；
5、工作原理：是利用酸的化學(xué)去污作用和兆聲清洗微小顆粒使工件表面的雜質(zhì)的清除，從而獲得表面潔凈的工件；